Optoelectronique / Service et support / L’actu optoélectronique / Nouvelle photodiode APD InGAAS C30733 Nouvelle photodiode APD InGAAS C30733
24 janvier 2022 ─ / Optoelectronique par Camille Bertrand
HTDS présente la nouvelle photodiode APD InGaAs ultra rapide C30733, de son partenaire Canadien Excelitas Technologies
Cette photodiode à avalanche (APD) lnGaAs, offre un faible bruit, un gain et une efficacité quantique élevés, dans la gamme spectrale de 1000 à 1700 nm.
Cette combinaison remarquable en fait une solution idéale pour toutes les applications et systèmes de télémétrie laser et de test et mesure télécom.
Ce nouveau produit catalogue est proposé en différents boitiers TO hermétiques, soit en espace libre, soit fibré pour un couplage optimal sur la zone active de diamètre 30 µm. La C30733 avec un rapport signal sur bruit optimisé, permet la détection de très faibles niveaux, offrant ainsi un haut niveau de performance.
Les principales caractéristiques de l’APD InGaAs C30733 sont :
- Bande passante élevée (3 GHz typ.)
- Très petite surface active (30 µm)
- Gain élevé (M=40+)
- Faible bruit (NEP max : 0.05 pW/√Hz)
- Disponible en version fibrée (avec connecteur FC/PC)
La C30733 est particulièrement optimisée pour les applications nécessitant une détection de signaux optiques extrêmement rapides.
Sa plage de détection entre 1000 et 1700 nm permet par exemple, de couvrir les applications de télécommunication dans la bande spectrale 1300 à 1650 nm, avec une grande précision et notamment sur de longs réseaux de fibres (OTDR).
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