photodiodes NIR
HTDS fournit de nombreuses solutions dans la technologie de détection notamment dans le spectre proche infra-rouge.
Nos photodiodes NIR sont basées sur de l’Arséniure d’Indium et de Gallium (InGaAs) dont la sensibilité spectrale se situe entre 900 et 1700 nm.
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Photodiodes PIN InGaAs
HTDS propose une large gamme de photodiodes PIN InGaAs pour détécter des longueurs d'onde de 800nm à 1700nm avec un maximum de réponse à 1550nm
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Photodiodes APD InGaAs
Une photodiode à avalanche est un composant optoélectronique qui se distingue des autres détecteurs par l’effet avalanche permettant de générer un gain très important (qui peut être supérieur à 500) par rapport à une photodiode PIN. Ce gain permet de détecter des flux lumineux très faibles.
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Photodiodes InGaAs modules APD
Nos modules APD sont des récepteurs hybrides qui comprennent un photodétecteur et un amplificateur à transimpédance dans le même boitier hermétique.
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